nandflash 接口

除了I/O总线DATE0--DATE7,NAND接口由6个主要控制信号构成: 1.芯片启动(Chip Enable, CE#):如果没有检测到CE信号,那么,NAND器件就保持待机模式,不对任何控制信号作出响应。 2.写使能(Write Enable, WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。 3.读使能(Read Enable, RE#): RE#允许输出数据缓冲器。 4.指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时,在WE#信号的上升沿,指令被锁存到NAND指令寄存器中。 5.地址锁存使能(Address Latch Enable, ALE):当ALE为高时,在WE#信号的上升沿,地址被锁存到NAND地址寄存器中。 6.就绪/忙(Ready/Busy, R/B#):如果NAND器件忙,R/B#信号将变低。该信号是漏极开路,需要采用上拉电阻。 数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口。当进行编程操作的时候,待编程的数据进入数据寄存器,处于在WE#信号的上升沿。在寄存器内随机存取或移动数据,要采用专用指令以便于随机存取。
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